Ничего не куплено!


| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 10.6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 114 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 12.3 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 25 ns |
| Время спада | 7 ns |
| Другие названия товара № | BSC123N10LSGATMA1 BSC123N10LSGXT SP000379612 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Infineon |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Серия | OptiMOS 2 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 41 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | TDSON-8 |