DMN6075S-13

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMN6075S-13
Нормоупаковка: 10000 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 10000

Описание Характеристики

МОП-транзистор 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 0.8W 600pF

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	2.5 A
Pd - рассеивание мощности	1.15 W
Qg - заряд затвора	12.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	120 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V, 1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	4.1 ns
Время спада	11 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	-
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DMN60
Технология	-
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	35 ns
Типичное время задержки при включении	3.5 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-23-3

Метки: