BSZ086P03NS3 G

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSZ086P03NS3 G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	13.5 A
Pd - рассеивание мощности	69 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	8.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	25 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	46 ns
Время спада	8 ns
Другие названия товара №	BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GXT SP000473024
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	OptiMOS
Конфигурация	Single Quad Drain Triple Source
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Infineon
Размер фабричной упаковки	5000
Серия	OptiMOS P3
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	35 ns
Типичное время задержки при включении	16 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TSDSON-8

Метки: