BUK9Y12-100E,115

Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: BUK9Y12-100E,115
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-channel TrenchMOS logic level FET

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	85 A
Pd - рассеивание мощности	238 W
Qg - заряд затвора	64 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	9.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	15 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.7 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	39 ns
Время спада	74 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	NXP
Размер фабричной упаковки	1500
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	117 ns
Типичное время задержки при включении	22 ns
Торговая марка	NXP Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	LFPAK-4

Метки: