CSD19532Q5B

Производитель: Texas Instruments
Номер части: CSD19532Q5B
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 100V 4.0 mOhm N-Ch NexFET Power МОП-транзистор

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	124 A
Pd - рассеивание мощности	3.1 W
Qg - заряд затвора	48 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	4.9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.6 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	6 ns
Время спада	6 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	NexFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	84 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Texas Instruments
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	CSD19532Q5B
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	22 ns
Типичное время задержки при включении	7 ns
Торговая марка	Texas Instruments
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	VSON-Clip-8

Метки: