FCP190N65F

Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FCP190N65F
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор SuperFET2 650V, 190 mOhm, FRFET

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	20.6 A
Pd - рассеивание мощности	208 W
Qg - заряд затвора	60 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	190 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	5 V
Вес изделия	1.800 g
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	11 ns
Время спада	4.2 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	18 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Fairchild Semiconductor
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	62 ns
Типичное время задержки при включении	25 ns
Торговая марка	Fairchild Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3

Метки: