Ничего не куплено!
ZXM66P03N8TA
Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: ZXM66P03N8TA
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: ZXM66P03N8TA
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
МОП-транзистор 30V P-Chnl HDMOS
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | - 7.9 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 35 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | - 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 16.3 ns |
| Время спада | 39.6 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single Quad Drain Triple Source |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | ZXM66 |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 94.6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.6 ns |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOIC-8 |
Страница создана за 0.162 секунд.