CSD19536KCS

Производитель: Texas Instruments
Номер части: CSD19536KCS
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 100V N-CH NexFET Pwr МОП-транзистор

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	259 A
Pd - рассеивание мощности	375 W
Qg - заряд затвора	118 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	8 ns
Время спада	5 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	NexFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	307 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Texas Instruments
Размер фабричной упаковки	50
Серия	CSD19536KCS
Тип транзистора	1 N-Channel
Торговая марка	Texas Instruments
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3

Метки: