Ничего не куплено!
TPN11006NL,LQ
Производитель: Toshiba
Номер части: TPN11006NL,LQ
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: TPN11006NL,LQ
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
МОП-транзистор Power moSFET N-ch 30V
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 37 A |
| Pd - рассеивание мощности | 30 W |
| Qg - заряд затвора | 23 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 17 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 4 ns |
| Время спада | 7.1 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Toshiba |
| Серия | U-MOSVIII |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 27 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | TSON-8 |
Страница создана за 0.14 секунд.