Ничего не куплено!
FCB110N65F
Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FCB110N65F
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: FCB110N65F
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
МОП-транзистор SuperFET2 650V, 110mohm, FRFET
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 35 A |
| Pd - рассеивание мощности | 357 W |
| Qg - заряд затвора | 98 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 110 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | +/- 20 V, +/- 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 21 ns |
| Время спада | 5.7 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 89 ns |
| Типичное время задержки при включении | 31 ns |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | D2PAK-3 |
Страница создана за 1.045 секунд.