BUK7E1R9-40E,127

Производитель: NXP Semiconductors
Номер части: BUK7E1R9-40E,127
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор N-channel TrenchMOS standard level FET

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	120 A
Pd - рассеивание мощности	324 W
Qg - заряд затвора	118 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	40 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	49 ns
Время спада	52 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	NXP
Размер фабричной упаковки	1000
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	87 ns
Типичное время задержки при включении	35 ns
Торговая марка	NXP Semiconductors
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	I2PAK-3

Метки: