CSD19532KTTT

Производитель: Texas Instruments
Номер части: CSD19532KTTT
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 100V, N-channel NexFET Pwr МОП-транзистор

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	136 A
Pd - рассеивание мощности	250 W
Qg - заряд затвора	44 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	5.3 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.6 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	3 ns
Время спада	2 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	NexFET
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Texas Instruments
Серия	CSD19532KTT
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	14 ns
Типичное время задержки при включении	9 ns
Торговая марка	Texas Instruments
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TO-263-3

Метки: