SIZ300DT-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SIZ300DT-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
SIZ300DT-T1-GE3 Лист данных	скачать

МОП-транзистор 30V 11A/28A 16.7/31W 24mohm/11mohm @ 10V

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	9.8 A
Pd - рассеивание мощности	3.7 W, 4.2 W
Qg - заряд затвора	7.4 nC, 14.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	20 mOhms, 9 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.4 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	45 ns, 80 ns
Время спада	10 ns, 40 ns
Другие названия товара №	SIZ300DT-GE3
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	30 S
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SIZxxxDT
Тип транзистора	2 N-Channel
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	WDFN-8

Метки: