Ничего не куплено!


| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.44 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 130 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | - 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 11 ns |
| Время спада | 12 ns |
| Другие названия товара № | BSO613SPVGHUMA1 BSO613SPVGXT SP000216309 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | SIPMOS |
| Конфигурация | Single Quad Drain Triple Source |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Производитель | Infineon |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | BSO613 |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 32 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | DSO-8 |