Ничего не куплено!
APT8M100B
Производитель: Microsemi
Номер части: APT8M100B
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: APT8M100B
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
МОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS8
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Pd - рассеивание мощности | 290 W |
| Qg - заряд затвора | 60 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.53 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1000 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 7.8 ns |
| Время спада | 7.2 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Коммерческое обозначение | POWER MOS 8 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 7.5 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Microsemi |
| Типичное время задержки выключения | 29 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8.5 ns |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
Страница создана за 0.151 секунд.