BSC009NE2LS5ATMA1

Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSC009NE2LS5ATMA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор LV POWER MOS

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	100 A
Pd - рассеивание мощности	74 W
Qg - заряд затвора	20 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.25 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	25 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 16 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	6 ns
Время спада	4 ns
Другие названия товара №	BSC009NE2LS5 SP001212764
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	75 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Infineon
Типичное время задержки выключения	30 ns
Типичное время задержки при включении	4 ns
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SuperSO-8

Метки: