SI7143DP-T1-GE3

Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI7143DP-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор 30V 35A P-CH МОП-транзистор

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	- 35 A
Pd - рассеивание мощности	35.7 W
Qg - заряд затвора	47.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	8.3 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	- 1.2 V to - 2.8 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	SI7143DP-GE3
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	37 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SI71xxDx
Тип транзистора	1 P-Channel
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SO-8

Метки: