Ничего не куплено!
SiR818DP-T1-GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SiR818DP-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: SiR818DP-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
МОП-транзистор 30 Volts 50 Amps 69 Watts
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Pd - рассеивание мощности | 69 W |
| Qg - заряд затвора | 63 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.3 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 15 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Другие названия товара № | SIR818DP-GE3 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 104 S |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Vishay |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SIRxxxDP |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 36 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SO-8 |
Страница создана за 0.152 секунд.