Ничего не куплено!
NUS5530MNR2G
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: NUS5530MNR2G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: NUS5530MNR2G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
МОП-транзистор INTEGRATED POWER BJT
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | - 3.9 A |
| Pd - рассеивание мощности | 635 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | - 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | - 35 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 12 S |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | NUS5530MN |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | DFN-8 |
Страница создана за 0.151 секунд.