DMN2005UFG-13

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMN2005UFG-13
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание	действие
DMN2005UFG-13 Лист данных	скачать

МОП-транзистор 20V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	18.1 A
Pd - рассеивание мощности	2.27 W
Qg - заряд затвора	68.8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	8.7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	0.7 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	25.7 ns
Время спада	38 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	DMN20
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DMN2005
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	114 ns
Типичное время задержки при включении	12.4 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerDI3333-8

Метки: