Ничего не куплено!
SI7772DP-T1-GE3
Производитель: Vishay Semiconductors
Номер части: SI7772DP-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: SI7772DP-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
МОП-транзистор 30V 35.6A 29.8W 13mohm @ 10V
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 35.6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 29.8 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 13 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | SI7772DP-GE3 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single with Schottky Diode |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Vishay |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SO-8 |
Страница создана за 1.114 секунд.