CSD85301Q2T

Производитель: Texas Instruments
Номер части: CSD85301Q2T
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор Dual N-Channel NexFET Pwr МОП-транзистор

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	5 A
Pd - рассеивание мощности	2.3 W
Qg - заряд затвора	5.4 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	99 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	600 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	26 ns
Время спада	15 ns
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Коммерческое обозначение	NexFET
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Texas Instruments
Серия	CSD85301Q2
Тип транзистора	2 N-Channel
Типичное время задержки выключения	14 ns
Типичное время задержки при включении	6 ns
Торговая марка	Texas Instruments
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	WSON-6

Метки: