Ничего не куплено!
FDD10N20LZTM
Производитель: Fairchild Semiconductor
Номер части: FDD10N20LZTM
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: FDD10N20LZTM
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
МОП-транзистор 200V N-Channel МОП-транзистор, UniFET
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 7.6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 56 W |
| Qg - заряд затвора | 12 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 300 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Вес изделия | 260.370 mg |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Fairchild Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | FDD10N20LZ |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
Страница создана за 0.136 секунд.