Ничего не куплено!
APT34N80B2C3G
Производитель: Microsemi
Номер части: APT34N80B2C3G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: APT34N80B2C3G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
МОП-транзистор Power МОП-транзистор - CoolMOS
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 34 A |
| Pd - рассеивание мощности | 417 W |
| Qg - заряд затвора | 180 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 145 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | +/- 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.1 V |
| Время нарастания | 15 ns |
| Время спада | 6 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Microsemi |
| Типичное время задержки выключения | 70 ns |
| Типичное время задержки при включении | 25 ns |
| Торговая марка | Microsemi |
Страница создана за 0.218 секунд.