ZXM66P02N8TA

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: ZXM66P02N8TA
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
ZXM66P02N8TA Лист данных	скачать

МОП-транзистор 20V P-Chnl HDMOS

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	- 8 A
Pd - рассеивание мощности	2.5 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	45 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	44.3 ns
Время спада	98.4 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single Quad Drain Triple Source
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	P-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	500
Серия	ZXM66
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	118.4 ns
Типичное время задержки при включении	14 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOIC-8

Метки: