DMC1229UFDB-7

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: DMC1229UFDB-7
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

МОП-транзистор Comp ENH Mode FET 12V Vdss 8V VGss

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	- 3.8 A, 5.6 A
Pd - рассеивание мощности	1.4 W
Qg - заряд затвора	10.5 nC, 10.7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	29 mOhms, 61 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	- 12 V, 12 V
Vgs - напряжение затвор-исток	+/- 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	- 1 V, 1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	10.5 ns, 11.5 ns
Время спада	4.1 ns, 26.4 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	1 N-Channel, 1 P-Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	5.5 S, 6.5 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel, P-Channel
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	DMC1229
Технология	-
Типичное время задержки выключения	16.6 ns, 27.8 ns
Типичное время задержки при включении	5 ns, 5.7 ns
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	U-DFN2020-6 Type B

Метки: