Ничего не куплено!
CTLDM303N-M832DS TR
Производитель: Central Semiconductor
Номер части: CTLDM303N-M832DS TR
Нормоупаковка: 3000 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: CTLDM303N-M832DS TR
Нормоупаковка: 3000 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
МОП-транзистор SMD Sm Signal Mosfet Dual N-Ch Enhanced
| МОП-транзистор | |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.65 W |
| Qg - заряд затвора | 13 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 40 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 11.8 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Central Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | CTLDM30 |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Торговая марка | Central Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | TLM832DS |
Страница создана за 0.136 секунд.