BSZ900N15NS3GATMA1

BSZ900N15NS3GATMA1

BSZ900N15NS3GATMA1
Производитель: Infineon Technologies
Номер части: BSZ900N15NS3GATMA1
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад:  запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу


Количество:  
   - или -   
В закладки
В сравнение
Минимальное количество заказа этого товара: 1
Описание действие
BSZ900N15NS3GATMA1 Лист данных скачать
МОП-транзистор N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
МОП-транзистор
TARIC (Единый тариф ЕЭС) 8541290000
Высота 1.1 mm
Длина 3.3 mm
Код HTS 8541290075
Ширина 3.3 mm
Id - непрерывный ток утечки 13 A
Pd - рассеивание мощности 38 W
Qg - заряд затвора 7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 74 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вес изделия 38.250 mg
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 4 ns
Время спада 3 ns
Другие названия товара № BSZ900N15NS3 BSZ9N15NS3GXT G SP000677866
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение OptiMOS
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 6 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура - 55 C
Полярность транзистора N-Channel
Производитель Infineon
Размер фабричной упаковки 5000
Серия OptiMOS 3
Технология Si
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 8 ns
Типичное время задержки при включении 4 ns
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Reel
Упаковка / блок TSDSON-8
CNHTS 8541290000
MXHTS 85412999
TARIC (Единый тариф ЕЭС) 8541290000
Метки:
Страница создана за 0.155 секунд.