STB47N60DM6AG

Производитель: STMicroelectronics
Номер части: STB47N60DM6AG
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Новый продукт: Новинка от этого производителя.

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
STB47N60DM6AG Лист данных	скачать

МОП-транзистор Automotive-grade N-channel 600 V, 0.070 typ., 36 A MDmesh DM6 Power МОП-транзистор in a D PAK package

МОП-транзистор
Квалификация	AEC-Q101
Id - непрерывный ток утечки	36 A
Pd - рассеивание мощности	250 W
Qg - заряд затвора	55 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	80 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	5.5 ns
Время спада	9 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MDmesh
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	STMicroelectronics
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STB47N60DM6AG
Технология	Si
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	57 ns
Типичное время задержки при включении	23 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	D2PAK-3
CNHTS	8541290000

Метки: