SISS70DN-T1-GE3

Производитель: Vishay / Siliconix
Номер части: SISS70DN-T1-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Новый продукт: Новинка от этого производителя.

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
SISS70DN-T1-GE3 Лист данных	скачать

МОП-транзистор 125V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

МОП-транзистор
Код HTS	8541290095
Id - непрерывный ток утечки	31 A
Pd - рассеивание мощности	65.8 W
Qg - заряд затвора	15.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	29.8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	125 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.5 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	9 ns
Время спада	10 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET, ThunderFET, PowerPAK
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	16 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SIS
Технология	Si
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	30 ns
Типичное время задержки при включении	20 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	PowerPAK1212-8

Метки: