SIHA100N60E-GE3

Производитель: Vishay / Siliconix
Номер части: SIHA100N60E-GE3
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Срок эксплуатации:

Новый продукт: Новинка от этого производителя.

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
SIHA100N60E-GE3 Лист данных	скачать

МОП-транзистор 600V Vds; +/-30V Vgs Thin-Lead TO-220

МОП-транзистор
Id - непрерывный ток утечки	30 A
Pd - рассеивание мощности	35 W
Qg - заряд затвора	50 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	100 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	34 ns
Время спада	20 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	11 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Полярность транзистора	N-Channel
Производитель	Vishay
Размер фабричной упаковки	50
Серия	E
Технология	Si
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	33 ns
Типичное время задержки при включении	21 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	Thin-Lead TO-220-3 FULLPAK

Метки: