ZTX658STZ

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: ZTX658STZ
Нормоупаковка: 2000 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 2000

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
ZTX658STZ Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT NPN Super E-Line

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	1 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	50 at 1 mA at 5 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.5 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	400 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	400 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	50 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	2000
Серия	ZTX658
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	TO-92

Метки: