ZXTN19100CGTA

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: ZXTN19100CGTA
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 979

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN 100V 5.5A

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	5300 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	200 at 100 mA at 2 V, 130 at 1 A at 2 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	200
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	5.5 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	200 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	150 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	ZXTN191
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-223

Метки: