2SB1201S-E

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: 2SB1201S-E
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 2A 50V

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	0.8 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	100
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	4 A, - 4 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V, - 60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V, - 50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	150 mV, - 300 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V, - 6 V
Полярность транзистора	NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	150 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	500
Серия	2SB1201
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-251

Метки: