2N5657

Производитель: STMicroelectronics
Номер части: 2N5657
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT NPN Fast Switching

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	20 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	30
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	250
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	- 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	375 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	350 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	10 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	10 MHz
Производитель	STMicroelectronics
Размер фабричной упаковки	50
Серия	2N5657
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	SOT-32-3

Метки: