Ничего не куплено!


| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 110 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 220 at 2 mA at 5 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 300 MHz |
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | BC846 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |