Ничего не куплено!


| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 3 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 50 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 1.6 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 100 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-39 |