Ничего не куплено!


| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 100 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Серия | MMBT39 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | X1-DFN1006-3 |