Ничего не куплено!


| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 220 at -2 mA, - 5 V |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | - 200 mA |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 45 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 650 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 200 MHz |
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | BC857B |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SOT-323 |