ZXTC2062E6TA

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: ZXTC2062E6TA
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Цена в Азии: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 20V 1A Complementary Med power transistor

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	1700 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	300 at 10 mA at 2 V at NPN, 280 at 1 A at 2 V at NPN, 140 at 4 A at 2 V at NPN, 300 at 10 mA at 2 V at PNP, 170 at 1 A at 2 V at PNP, 65 at 3.5 A at 2 V at PNP
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	300 at 10 mA at 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	4 A at NPN, 3.5 A at PNP
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	25 V, 100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	20 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Полярность транзистора	NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	215 MHz, 290 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	ZXTC2062
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SOT-23

Метки: