Ничего не куплено!
Биполярные транзисторы - BJT | |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 100 at 10 mA at 1 V |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at 10 mA at 1 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 300 MHz |
Производитель | Toshiba |
Технология | Si |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка | Reel |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |