Ничего не куплено!
2SB1215S-TL-E
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: 2SB1215S-TL-E
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: 2SB1215S-TL-E
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 3A 100V
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | - 6 A |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 120 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 100 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 0.2 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 6 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 130 MHz |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 700 |
| Серия | 2SB1215 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | SC-63 |
Страница создана за 0.135 секунд.