Ничего не куплено!


| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 220000 mW |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 55 at 1 A at 5 V |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 15 A |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 200 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 200 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 25 MHz (Typ) |
| Производитель | Toshiba |
| Размер фабричной упаковки | 100 |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | TO-3PL |