Ничего не куплено!
2N3767
Производитель: Microsemi
Номер части: 2N3767
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: 2N3767
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
| Описание | действие |
| 2N3767 Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы - BJT NPN Transistor
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Производитель | Microsemi |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка / блок | TO-66-2 |
Страница создана за 0.155 секунд.