MBT3904DW1T3G

Производитель: ON Semiconductor
Номер части: MBT3904DW1T3G
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики

Биполярные транзисторы - BJT 200mA 60V Dual NPN

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	625 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	MBT3904DW1T1G
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	40
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.2 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	- 55 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	- 35 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.3 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	300 MHz
Производитель	ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки	10000
Серия	MBT3904DW1
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	SC-70-6

Метки: