Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| 2N3421 Лист данных | скачать |
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 40 at 100 mA at 2 V |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 120 at 1 A at 2 V |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 125 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 8 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Производитель | Microsemi |
| Технология | Si |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка / блок | TO-5-3 |