Ничего не куплено!
Описание | действие |
2N3421 Лист данных | скачать |
Биполярные транзисторы - BJT | |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 40 at 100 mA at 2 V |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 120 at 1 A at 2 V |
Максимальная рабочая температура | + 200 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 125 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 8 V |
Полярность транзистора | NPN |
Производитель | Microsemi |
Технология | Si |
Торговая марка | Microsemi |
Упаковка / блок | TO-5-3 |