Ничего не куплено!
JAN2N3019
Производитель: ON Semiconductor
Номер части: JAN2N3019
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Номер части: JAN2N3019
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту
Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту
Цена: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Цена в Азии: по запросу
Биполярные транзисторы - BJT JAN2N3019
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 800 mW |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 15 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 mA |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 140 VDC |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 VDC |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.2 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 VDC |
| Полярность транзистора | NPN |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 100 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-5 |
Страница создана за 0.337 секунд.