ZXTD619MCTA

Производитель: Diodes Incorporated
Номер части: ZXTD619MCTA
Нормоупаковка: 1 шт.
Внешний склад: запросить квоту

Склад в г. Тольятти (1 день): запросить квоту

Цена: по запросу

Количество:

- или -

Минимальное количество заказа этого товара: 1

Описание Характеристики Даташит

Описание	действие
ZXTD619MCTA Лист данных	скачать

Биполярные транзисторы - BJT Dual 50V NPN Low Sat 4A Ic 68mOhm 6A HFE

Биполярные транзисторы - BJT
Pd - рассеивание мощности	2.45 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe	300 at 200 mA at 2 V
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	450 at 200 mA at 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	6 A
Минимальная рабочая температура	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	270 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания	165 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	ZXTD619
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	DFN3020B-8

Метки: