Ничего не куплено!


| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 110 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 18 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 32 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 9 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 800 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 9 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | 1000V Transistors |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220 |