Ничего не куплено!


| Описание | действие |
| 2SA1416T-TD-E Лист данных | скачать |
| Биполярные транзисторы - BJT | |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe | 100 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 100 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | 120 MHz |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | 2SA1416 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | PCP-3 |